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FDV301N

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，25 V，220 mA，3.1 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：

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FDV301N概述

FDV301N是一款表面安装N沟道逻辑电平增强模式数字FET，SOT-23封装.此设备具有高密度，DMOS技术，专门设计用于减少导通电阻并保持低栅极电荷，已提供出色的开关性能，这一N通道FET可替代几个不同的数字晶体管，带有不同的偏置电阻值.FDV301N适用于低电压与电源管理应用.

漏-源电压(Vds):25V

栅-源电压:8V

持续漏极电流(ld):220mA

功耗:350mW

Vgs 4.5V时，低导通电阻值3.1ohm

运行温度范围-55°C至150°C

应用

电源管理，消费电子产品，便携式器材，工业

FDV301N中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	500 mA	最大栅源电压	+8 V
最大漏源电压	25 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	SOT-23	高度	0.93mm
安装类型	表面贴装	宽度	1.3mm
引脚数目	3	正向二极管电压	1.2V
最大漏源电阻值	9 Ω	典型栅极电荷@Vgs	0.49 nC @ 4.5 V
通道模式	增强	长度	2.92mm
最大栅阈值电压	1.06V	最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.7V	晶体管材料	Si
最大功率耗散	350 mW	最低工作温度	-55 °C